| En 1879,
E. H. Hall a observé qu置ne faible tension était engendrée
à travers un conducteur parcouru par un courant et placé
dans un champ magnétique externe. Cette tension était très
faible avec des conducteurs classiques et cet effet fut peu utilisé.
Avec le développement des semi-conducteurs, des valeurs plus élevées de tensions de Hall peuvent être engendrées. Comme matériau semi-conducteur, il est souvent fait usage de l誕rséniure d段ndium (In As). Un élément de In As, placé dans un champ magnétique, peut engendrer une tension Hall de 60 [mV] lorsque l段nduction vaut 1 [T] et qu段l est parcouru par un courant de 100 [mA] . Le flux appliqué doit être perpendiculaire à la direction du courant. Lorsque le courant circule dans le sens longitudinal du conducteur, la tension engendrée est développée au travers de la largeur. |
| La valeur de la tension Hall UH est directement proportionnelle à la valeur de la densité de l段nduction magnétique B. Cela signifie qu段l est possible de mesurer la valeur de l段nduction B par l段ntermédiaire de la tension Hall UH . |
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| Principe
:
Un conducteur contenant n charges
libres e- est traversé par un courant Supposons que tous les électrons
se déplacent avec une vitesse Le nombre n de charges électriques e- passant durant le temps t à travers l'aire A vaut : |
![]() |
Mais un
delta Q sur un delta I est un courant électrique I.
Plongeons ce conducteur dans
un champ d'induction magnétique Les électrons circulant
à la vitesse |
| Les différentes lois du magnétisme font apparaître une dissymétrie dans la répartition des charges entre les faces A1 et A2. | ![]() |
| Cette dissymétrie
provoque une différence de potentiel, appelée tension de
Hall UH proportionnelle au champ d'induction La tension de Hall UH est donc une combinaison de lois d'électrostatique |
| En les combinant,
nous obtenons :
UH
= Cette tension de Hall est exprimée en volt [V]. |